每經(jīng)AI快訊，有投資者在投資者互動平臺提問：貴司碳化硅SiC溝槽柵MOSFET關(guān)鍵的溝槽結(jié)構(gòu)技術(shù)、溝槽刻蝕技術(shù)和溝槽柵氧技術(shù)的研究進展如何？對未來新型溝槽技術(shù)發(fā)展趨勢進行展望。 以株洲中車時代半導體有限公司為代表，開發(fā)了周期性柵氧電場屏蔽技術(shù)，在三維方向形成對柵氧化層直接與間接的屏蔽[106]，實現(xiàn)了3.0 mΩ⋅cm2的比導通電阻、1 400 V的阻斷電壓芯片樣品的制備，未來該產(chǎn)品前景展望一下。

時代電氣（688187.SH）12月4日在投資者互動平臺表示，我們當前量產(chǎn)產(chǎn)品的技術(shù)還是基于平面柵技術(shù)的發(fā)展和升級，已達到當前市場主流水平。

(記者 畢陸名)

免責聲明：本文內(nèi)容與數(shù)據(jù)僅供參考，不構(gòu)成投資建議，使用前核實。據(jù)此操作，風險自擔。