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三星預(yù)計(jì)2024年初開始量產(chǎn)下一代NAND內(nèi)存

2023-10-17 16:15:51

10月17日,三星電子內(nèi)存業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Lee Jung-Bae發(fā)表文章稱,三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的運(yùn)行芯片,希望明年初可以實(shí)現(xiàn)量產(chǎn);該公司還正在開發(fā)行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的11納米級(jí)DRAM芯片。他還表示,對(duì)于DRAM,三星正在研發(fā)3D堆疊結(jié)構(gòu)和新材料;對(duì)于NAND閃存,正在通過(guò)增加堆疊層數(shù)、同時(shí)降低高度來(lái)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)最小的單元尺寸。三星計(jì)劃于10月20日在硅谷舉辦“2023三星存儲(chǔ)技術(shù)日”。(界面)

責(zé)編 陳鵬程

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